Post-Doctoral researcher (M/ F) Superconducting Silicon Photon Detectors

Informations générales

Intitulé de l'offre : Chercheur Post-Doctoral (H/F) Détecteurs de photons en Silicium Supraconducteur
Référence : UMR9001-FRACHI-004
Nombre de Postes : 1
Lieu de travail : PALAISEAU
Date de publication : mardi 22 octobre 2024
Type de contrat : CDD Scientifique
Durée du contrat : 12 mois
Date d'embauche prévue : 1 janvier 2025
Quotité de travail : Temps complet
Rémunération : Entre 3081,33 € et 4291,70€ de salaire menuel brut
Niveau d'études souhaité : Niveau 8 - (Doctorat)
Expérience souhaitée : Indifférent
Section(s) CN : Micro et nanotechnologies, micro et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique

Missions

Le post-doctorat porte sur la réalisation, la caractérisation et la mesure des propriétés structurelles et de transport de dispositifs supraconducteurs entièrement constitués de silicium. Les couches minces de Si supraconducteur seront réalisées par dopage laser à immersion gazeuse ou par épitaxie induite par laser pulsé, permettant la fabrication de couches Si:B ultra-dopées, bien au-dessus de la limite de solubilité du B dans le Si. Les films seront caractérisés par diffraction des rayons X, microscopie électronique à transmission (pour leur structure et leurs défauts cristallins) et par des mesures de transport (à la fois dans l'état normal et supraconducteur). Les dispositifs seront réalisés par microfabrication en salle blanche et consisteront en des lignes larges quelques centaines de nanomètres fonctionnant dans des conditions de courant continu. Les dispositifs seront caractérisés par des mesures à basse température dans un réfrigérateur à dilution et en fonction de la température et de l'irradiation lumineuse.

Activités

Au cours du Post-Doc, le chercheur va:
- réaliser la croissance de couches fines de Si:B ultra-dopé par dopage laser nanoseconde dans le groupe EPLA du C2N
- caractériser le dopage et la structure des couches supraconductrices et des dispositifs par XRD, TEM et SIMS, à l'aide des ingénieurs de la plateforme technologique du C2N
- dessiner et réaliser des fines lignes supraconductrices, profitant des techniques de nano-fabrications offertes par la salle blanche du C2N. Lithographie électronique, lithographie laser, gravure ionique réactive, gravure chimique, et dépôt métallique seront utilisés.
- mesurer le transport électronique à basse température, soit dans un montage à désaimantation adiabatique, ou en dilution, en fonction de la température, champ magnétique et illumination, grâce aux collaborations développées avec le Laboratoire de Physique des Solides et le groupe 'Physique des détecteurs' à IJCLab.
- analyser les données en regard de la bibliographie.
- écrire les papiers scientifiques et participer à des conférences internationales pour dissémination des résultats

Compétences

Expérience en
- physique des solides expérimentale
- supraconductivité/dispositifs quantiques
- fabrication de micro-nano structures en salle blanche
- mesures de transport à basse température et/ou haute fréquence sous éclairage lumineux

Contexte de travail

Le chercheur (H/F) sera accueilli au sein du groupe EPLA du Département Matériaux du C2N. Le travail sera réalisé en collaboration avec le personnel de la salle blanche (PIMENT) et de la plateforme de caractérisation (PANAM). Une collaboration en cours avec le Laboratoire de Physique des Solides (Université Paris Saclay) permettra l'accès à un réfrigérateur à dilution.



Le poste se situe dans un secteur relevant de la protection du potentiel scientifique et technique (PPST), et nécessite donc, conformément à la réglementation, que votre arrivée soit autorisée par l'autorité compétente du MESR.

Contraintes et risques

Le post-doctorant travaillera avec un laser excimer UV présent dans l'expérience de recuit laser nanoseconde et avec des produits chimiques (acides/bases) dans un environnement de salle blanche.